1,物理性質(zhì)：

密度：6.20

熔點(diǎn)：1041℃

禁帶寬度：1.46 eV

2，純度：99.9999%；

3，規(guī)格：晶片（wafers)；

4，檢測(cè)：GDMS，XRD;

5，技術(shù)對(duì)接：CVD工藝：1molCd+1molTe=1molCdTe,進(jìn)行二次處理后，再經(jīng)過(guò)引晶，區(qū)域熔煉，生長(zhǎng)碲化鎘單晶--線切割--打磨拋光；

6，服務(wù)：提供免費(fèi)樣品，MSDS及實(shí)用的防護(hù)措施；

7，應(yīng)用：紅外窗場(chǎng)致發(fā)光器件，紅外探測(cè)，X射線探測(cè)，核放射性探測(cè)器，接近可見光區(qū)的發(fā)光器件；

8，包裝：明礬分裝（取料時(shí)只需溫水溶化）；